高级检索

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

半导体激光照射预防和缓解牙髓炎急性反应

郭阳 谢晓华 裴路

郭阳, 谢晓华, 裴路. 半导体激光照射预防和缓解牙髓炎急性反应[J]. 中国公共卫生, 2007, 23(8): 972-973. doi: 10.11847/zgggws2007-23-08-39
引用本文: 郭阳, 谢晓华, 裴路. 半导体激光照射预防和缓解牙髓炎急性反应[J]. 中国公共卫生, 2007, 23(8): 972-973. doi: 10.11847/zgggws2007-23-08-39
GUO Yang, XIE Xiao-hua, PEI Lu. Intervention effect of semiconductor laser on endodontic interappointment emergencies[J]. Chinese Journal of Public Health, 2007, 23(8): 972-973. doi: 10.11847/zgggws2007-23-08-39
Citation: GUO Yang, XIE Xiao-hua, PEI Lu. Intervention effect of semiconductor laser on endodontic interappointment emergencies[J]. Chinese Journal of Public Health, 2007, 23(8): 972-973. doi: 10.11847/zgggws2007-23-08-39

半导体激光照射预防和缓解牙髓炎急性反应

doi: 10.11847/zgggws2007-23-08-39
详细信息
    作者简介:

    郭阳(1966- ),女,黑龙江哈尔滨人,副教授,硕士,主要从事牙病学临床研究工作.

  • 中图分类号: R781.31

Intervention effect of semiconductor laser on endodontic interappointment emergencies

  • 摘要: 目的 观察半导体激光照射预防及缓解根管治疗急性反应(endodontic interappointment EIAE)的效果.方法 选取需进行根管治疗的患有牙髓炎及根尖周炎的牙病患者304例,随机分为2组,在进行根管预备及樟脑酚棉捻开放后,其中1组(155例)应用半导体激光在牙体外辐射根尖区,另1组不作处置,24h后观察记录患者主观症状和体征,比较2组根管治疗急性反应发生率.另选取根管充填后发生急性反应的牙病患者175例,随机分为2组,1组(96例)应用半导体激光在牙体外辐射根尖区;另1组(79例)给予口服甲硝唑及先锋Ⅳ,24h后观察记录患者主观症状和体征,比较2组缓解根管治疗急性反应效果.结果 304例牙病患者中,应用半导体激光照射组的急性反应发生率为4.52%,未照射组为10.74%,2组差异有统计学意义(P<0.05);175例根管填充后发生急性反应的患者中,半导体激光照射组的EIAE缓解效果明显好于药物治疗组,2组差异有统计学意义(P<0.05).结论 半导体激光照射可有效预防和缓解根管治疗急性反应.
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  900
  • HTML全文浏览量:  175
  • PDF下载量:  72
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 接收日期:  2007-04-07
  • 刊出日期:  2007-08-10

目录

    /

    返回文章
    返回