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肖利敏(综述), 陶芳标, 郝加虎(审校). 孕期极低频电磁场暴露与出生缺陷关系[J]. 中国公共卫生, 2009, 25(4): 507-508. DOI: 10.11847/zgggws2009-25-04-66
引用本文: 肖利敏(综述), 陶芳标, 郝加虎(审校). 孕期极低频电磁场暴露与出生缺陷关系[J]. 中国公共卫生, 2009, 25(4): 507-508. DOI: 10.11847/zgggws2009-25-04-66

孕期极低频电磁场暴露与出生缺陷关系

  • 摘要: 极低频电磁场(extremely low frequency electromagneticfields,ELF-EMFs)是频率在300Hz以下的交变电磁场,主要由电力供应设备和各类家用电器产生。该频段的波长很长,本质上是一种感应场〔1〕。国内外已经进行了大量极低频电磁场与人体健康的研究,发现极低频电磁场对神经系统、免疫系统、生殖系统等均可能产生影响,但是有关孕期ELF-EMFs与出生缺陷的研究还存在争议。本文从流行病学研究及动物实验2方面对孕期极低频电磁场暴露与出生缺陷的关系作一综述。

     

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